Vyučující
|
-
Hubička Zdeněk, Mgr. Ph.D.
-
Potůček Zdeněk, Ing. Ph.D.
|
Obsah předmětu
|
- Metody přípravy tenkých vrstev: vakuové napařování, obloukové vypařování atd. - Aplikace nízkoteplotního plazmatu pro PVD a PECVD depozici vodivých a dielektrických tenkých vrstev, fyzikální základy DC a RF katodového naprašování a reaktivního naprašování, magnetronové systémy RF, MF, DC, DC pulsní, duální atd., systémy s dutou katodou a plazmovým kanálem. - Systémy pro PECVD depozici tenkých vrstev, planární RF reaktor, VHF reaktor, aplikace MW plazmatu pro depozici tenkých vrstev, MW surfatron, ECR plazma. PECVD systémy pracující za atmosférického tlaku, DBD výboj, RF výboj, BTD s proudícím kanálem. - Vlastnosti a charakterizace tenkovrstvých struktur. - Úhlově závislá spektrální elipsometrie v oboru vlnových délek zahrnující viditelnou a vakuovou-UV oblast spektra. - Fázové přechody v tenkovrstvých strukturách. - Dielektrické a piezoelektrické vlastnosti a charakterizace tenkých vrstev perovskitů. - Charakterizace mechanických parametrů tenkovrstvých systémů pomocí nanoindentace, opticky buzené povrchové akustické vlny a pod.
|
Studijní aktivity a metody výuky
|
Přednášení
- Účast na výuce
- 30 hodin za semestr
- Domácí příprava na výuku
- 20 hodin za semestr
- Příprava na zkoušku
- 40 hodin za semestr
|
Výstupy z učení
|
Předmět se zabývá problematikou přípravy, charakterizací a vlastnostmi tenkovrstvých struktur.
Předmět zaměřený na získání schopnosti aplikace poznatků. Používat znalosti o přípravě a charakterizaci fotonických nanostruktur v současném výzkumu a vývoji.
|
Předpoklady
|
Předpokládá se znalost vysokoškolské fyziky.
|
Hodnoticí metody a kritéria
|
Známkou
Znalost tématu, schopnost diskutovat o tématu v širších souvislostech Složení zkoušky
|
Doporučená literatura
|
-
Časopisecká a firemní literatura.
-
Rieke, G.H. (2002). Detection of light. From the Ultraviolet to the Submillimeter. Cambridge Univ. Press, 2. edition, Cambridge.
-
Saleh, B.E.A., Teich, M.C. (1994). Základy fotoniky. Matfyzpress, Praha, sv. 3.
|